ダイヤモンドは、GaN、SiCを凌ぐパワー半導体、高周波半導体材料です。ダイヤモンドを材料から、半導体デバイス化することは、極めて困難でした。

設立者は、半導体デバイスに基盤となるドーピング技術[1]、ゲート絶縁膜技術[2]を見出し、特許化しました。

佐賀大学では、これらの基盤技術をもとに、半導体デバイス化を進め、GaNに匹敵するパワー半導体、高周波半導体デバイスの性能を発表しました。